'12단 쌓은 D램' '세계 첫 양산'…韓반도체 'HBM 전장'된 엔비디아 GTC
최영지
입력 2024. 3. 19. 17:49수정 2024. 3. 19. 19:38
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18일 美서 'GTC 2024' 개막…글로벌 빅테크 몰려
삼성전자, 전시장서 '업계최초' HBM3E 12H 제품 전시
SK하이닉스, HBM3E 첫 대량양산…"엔비디아 납품"
젠슨 황, '차세대 GPU' 블랙웰 첫 언급…시장확대 기대
[이데일리 최영지 기자·뉴욕=김상윤 특파원] 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 메모리반도체 3사가 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스인 ‘GTC 2024’에서 5세대 고대역폭메모리(HBM3E) 신제품 전시를 통해 자사 기술력을 뽐내는 데 집중하는 모양새다. 역대 최대 규모 행사인 만큼 글로벌 빅테크가 대거 참여해 메모리업체로선 HBM시장 점유율을 높일 수 있는 절호의 기회이기 때문이다. 이날 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 HBM3E가 들어가는 기존 그래픽처리장치(GPU)인 H100를 잇는 제품인 ‘블랙웰’(B200)을 공개한 만큼 메모리 3사의 차세대 HBM 경쟁은 더욱 격화할 것으로 보인다.
<img alt='삼성전자는 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 5세대 고대역폭 메모리 HBM(HBM3E) 실물을 전시했다. (사진=연합뉴스)' class='thumb_g_article' data-org-src='https://t1.daumcdn.net/news/202403/19/Edaily/20240319193837124unmh.jpg' data-org-width='670' dmcf-mid='0OR12we7aU' dmcf-mtype='image' height='auto' src='https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202403/19/Edaily/20240319193837124unmh.jpg' width='658' style='display: block; width: 640px; margin: 0px auto; vertical-align: top;'>이미지 크게 보기
삼성전자는 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 5세대 고대역폭 메모리 HBM(HBM3E) 실물을 전시했다. (사진=연합뉴스)
삼성·SK, 美서 HBM 1,2위 경쟁 치열…마이크론도 거센 추격
삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)는 18일(현지시간) GTC 2024가 열린 미국 캘리포니아 새너제이 SAP컨벤션센터에 나란히 전시관을 마련해 HBM3E 제품을 대거 공개했다.
삼성전자는 지난달 말 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 HBM3E 제품을 개발했다고 알린 데 이어 이번 행사에서 처음으로 실물을 전시했다.
HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다. 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다. 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB(기가바이트) HBM3E 12H를 구현한 것으로, SK하이닉스와의 시장 선점 경쟁에 한발 뒤처진 이후 내놓은 반격의 카드인 셈이다.
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