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투자자 만난 적 없다던 민희진,어도어 인수 쩐주 확보
- 관련게시물 : 스압) 민 vs 하이브 "법정 공판" 정리.....jpg앞서 민 대표는 하이브의 경영권 탈취 주장에 “회사 경영권을 탈취하기 위해 어떤 투자자도 만난 적 없다”고 주장했다. 지난달 25일 기자회견에서는 “투자자 누구와 어떤 모의를 했다는 것인지 내 앞에 데려오라”고 언급하기도 했다.한편 이날 법원에서는 민 대표 측이 제기한 의결권 행사 금지 가처분 신청 심문이 진행됐다.최대주주인 하이브가 의결권을 행사해 민 대표를 해임하지 못하도록 하려는 취지다. 이날 심문은 80분 간 진행됐다. 재판부는 24일까지 양측의 자료를 제출받고, 오는 31일 주총 개최 전까지 가처분 신청 인용 여부를 결정하겠다고 밝혔다.잘 가- [속보] 3월 15일부터 뉴진스 멤버 탈퇴 언급 ㅋㅋㅋ3월 15일항의 메일 보내기전사태 일어나기 전부터멤버 탈퇴 상황 + 위약금 계산하고있는 중 ㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋ- 어도어, "뉴진스가 방탄 넘었다" 언플 직접 요구 시발 ㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋ - 민희진 측 “뉴진스 컴백일에 아일릿 예능 출연…차별 대우”민 대표 측은 또 뉴진스가 데뷔 1년 반 만에 국내외 주요 음악 시상식의 신인상, 대상을 동시 수상하고 포브스가 선정한 ‘아시아에서 영향력 있는 30세 이하 30인’에 선정되는 등 성공했음에도 차별과 견제가 계속됐다고 했다. 그 예로, 뉴진스의 도쿄돔 입성이 언론에 보도된 지난 3월 27일, 하이브와 유니버설뮤직그룹 관련 기사가 동시에 배포됐다고 했다.또한, 아일릿은 앨범 활동이 종료되었음에도 뉴진스 컴백일과 맞물려 예능 방송에 출연했다고 지적했다. 뉴진스는 5월 24일 컴백하며, 아일릿은 이달 25일 JTBC ‘아는형님’에 출연한다.우리동네에가요편한미소를지어주세요- 속보) 뉴진스 칼국수,쿠키도 하이브 역바이럴 인정함뿡이브개저씨들 멍청하게 언급ㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋ- 뉴진스 부모님 민희진 탄원서 제출함 ㅇㅇhttps://m.entertain.naver.com/article/241/0003350945 뉴스 : 네이버 TV연예뉴스 : 네이버 TV연예m.entertain.naver.com- 민희진 사실상 "하이브 음반 사재기 했다" 폭로 하이브 왈 "민줌아 너도 10만장 정도는 음반 밀어내기 하지 않을래?" 라고 민줌한테 권유한 사실을 방금 민줌이 폭로함 당연히 증거까지 깜 대충 자회사? 같은거 세운뒤 음반 싹 사서 팔린척 했다함 이게 더 심각한 이유 사실상 사재기랑 뭐가 다르냐 소리 나오는중 이에 하이브 반응 "격의 없이 대화 해본 것 뿐" 아.. 하지만 하이브의 해명(?)에도 여론은 싸늘 참고로 1년에 음반 천만장 넘게 파는 하이브 남돌 직캠 조회수 그저 회수할 CD가 없는 환경지킴이 대시혁ㅠㅠ - 하이브폭로) 민희진은 돈에 환장한 사람돈에욕심없어요시발돈에 미친여자의 개소리였노ㅋㅋㅋ
작성자 : 야갤러고정닉
TEL 저온식각이 왜 혁명이냐면 (갑자기 초혁신 터졌다는 반도체업계 근황)
저온식각 일명 cryo etching은 201X년대부터 낸드 기술이 2D 한계에 봉착했을 때 꿈의 기술로 각광받았음그런데 일단 초저온 가스인 액화질소나 산소가 비싸고 공정 컨트롤의 난이도(극저온 칠러비용, 가스혼합비 등) 때문에 다들 개발에 성공하지 못했음그 와중에 TEL이 이번에 해당기술 개발에 성공해서 들고나온건데저온식각이 얼마나 쩌는지 알아보자식각 효율을 나타내는 숫자인 Etch Rate(줄여서 E/R)라는게 있음E/R = 식각 깊이(Å)/공정 시간(m)이라 얼마나 깊이 빠르게 식각을 쳐내느냐를 나타내는 E/R은 쓰루풋이 중요한 반도체 공정에서 중요한 숫자임왼쪽 파이차트: 일반 플라즈마 식각 가스 혼합비중간 파이차트: 연구단계의 저온식각 가스 혼합비 (1세대 저온식각)오른쪽 파이차트: TEL에서 완성한 저온식각 공정 장비 가스혼합비일반적인 식각보다 중간으로 가면 E/R이 2배가 되는데TEL은 중간과정보다 E/R 2배의 개쩌는 공정을 개발해냄E/R이 4배라는 말은 이론적으로 일반 낸드식각 공정보다 최대 4배로 빠르게 같은 깊이를 식각할 수 있다 or 같은 시간에 4배 더 깊이 식각 할 수 있다는 의미실제로는 식각 속도는 기존 공정보다 두배 빠르고 식각 깊이를 25% 더 깊게 에칭할 수 있다 하더라TEL의 주장에 따르면 10um 에칭하는데 33분이 소요되었으며 84% 탄소발자국 감소효과가 있었다고 함통상적인 플라즈마 공정은 7-8um 에칭하는데 1시간 남짓 걸림그림으로 보자면낸드가 이렇게 생겼는데 채널이 더 깊고 빨리 파짐 -> 낸드 단수 높히는데 예전에는 플라즈마 써서 고단화에 애 먹었는데 고단화 비교적 난이도 내려갈 예정TEL 자료 10um 뚫은 인증 + 깨끗하게 뚫린 바닥 사진 + 기술 세부자료불화수소 메인이라 탄소가스 사용절감으로 인한 ESG 점수는 덤결국 쓰루풋 포함 생산성 방면에서 저온식각이 고단 낸드 적층시 플라즈마 식각 대비 우위를 점하고 있기 때문에 현재 낸드식각 주류인 플라즈마 식각장비가 메인인 램리서치나 어플라이드는 TEL에게 고적층 낸드로 갈수록 마켓쉐어 많이 내줄 수 밖에 없다고 생각함. 좀더 자세한 이야기는 이 분이 글 잘 써놨더라https://blog.naver.com/timesight/223163209160 극저온 식각(Etching)의 도입 : NAND 식각 시장에서 가져올 큰 변화극저온 식각 장비의 개발 도쿄일렉트론은 23.06.09에 극저온 식각 장비를 공식적으로 발표하였습니다. &quo...blog.naver.com
작성자 : 방자_올돌골고정닉
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