TEL 저온식각이 왜 혁명이냐면 - 반도체산업 마이너 갤러리

저온식각 일명 cryo etching은 201X년대부터 낸드 기술이 2D 한계에 봉착했을 때 꿈의 기술로 각광받았음그런데 일단 초저온 가스인 액화질소나 산소가 비싸고 공정 컨트롤의 난이도(극저온 칠러비용, 가스혼합비

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너무 혁명이라 말이 안나오네

삼성이 176단 한번에 뚫을려다가 실패하고

현재는 한번에 143단정도 뚫고 있는데(v9공정이 286단 더블스택)

저 기술로 400단까지 한번에 뚫을 수 있고

700-800단 (반갤러 피셜, 반갤에 현직.자랑 백수가 얽혀 있어서 사실인지는 몰?루) 까지 한번에 뚫을 수 있다함

나도 이제 한계를 말하는건 그만해야겠다

예전에 삼성, 하닉이 발표한 내용을 바탕으로 정보글도 썼고 거기서 한계 드립 쳤는데

지금보니 다 틀렸네 ㅋㅋ

혁신 전 상황이 어땠냐면

삼성이 2019년쯤 200단 한번에 뚫는다고 할때 (말은 안하고 시각자료상 한번에 뚫는 자료를 첨부하여 발표함)

전부 미친놈들이라 했고

실제로 싱글스택 176단 양산에 실패하였음

sk하이닉스가 2021년쯤 로드맵 말할때는 한번에 160단 정도를 한계라고 보는거 같았음

근데 갑자기 혁신 하나가 터지더니

하닉은 400단 이상에서 싱글스택으로 갈지 더블스택으로 갈지 고민하고 있음 ㅋㅋㅋㅋㅋㅋ

삼성은 신기술을 올해 양산할 v9공정에 일부 적용, v10공정에 본격도입 예상 (eBEST Tech Brief)

디일렉

TEL 극저온 식각 장비, 식각 가스로 HF 가스 사용한다- 반도체산업 마이너 갤러리- 반도체산업 마이너 갤러리- 반도체산업 마이너 갤러리

일본 도쿄일렉트론(TEL)이 극저온(Cryo) 식각 장비에 쓰이는 식각 가스로 불화수소(HF)를 활용한다. 식각 공정 온도 변화 영향이다. 기존 낸드 채널홀 식각에는 불화탄소(CF) 계열 가스가 사용됐으나, 극저온 식각 장비가 본격적으로 사용되는 10세대 낸드 이후에는 CF 계열 가스 사용량이 대폭 줄어들 것으로 보인다.8일 업계에 따르면 TEL의 차세대 식각 장비는 식각 가스로 불화수소를 사용한다. 극저온에서 식각 공정 진행 시 패시베이션(Passivation) 레이어가 탄소(C) 없이도 생성되기 때문이다. 패시베이션 레이어는 채

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반도체 소자업계 관계자는 "TEL의 극저온 식각 장비가 삼성전자 장비 평가에서 높은 평가를 받았다"며 "향후 TEL의 극저온 식각 장비가 낸드 라인에 대규모로 도입될 것으로 보인다"고 말했다. 이어 "다만, 최근까지 이어진 낸드 수요 악화와 (극저온 식각 장비의) 높은 가격 등 영향으로 도입이 늦어지고 있다"고 덧붙였다. 업계에서는 TEL의 극저온 식각 장비가 10세대 낸드부터 사용될 것으로 보고 있다.

혁신의 영향

- 생산성 향상

- 낸드 생산비 감소

- 낸드 고속, 고용량화 (휴대폰에 100테라 박는 날이 올지도)

- 서버에 드는 전력소비 감소 (낸드를 한번에 많이 뚫을수록 속도가 빠르고 전력소비가 줄어듬)

- 여러 요인들로 탄소발자국 감소

- 낸드 고용량화로 서버 크기 감소