삼성전자, 美 실리콘밸리서 CXL 기반 메모리·HBM 공개

반도체 학회 멤콘서 CXL·HBM 설루션 발표
“5세대 HBM 상반기 양산”
“6세대 HBM에 버퍼 다이 적용”

전병수 기자

입력 2024.03.27. 13:44업데이트 2024.03.27. 16:23



미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2022(Flash Memory Summit)’에서 발언하는 최진혁 삼성전자 미주 메모리연구소장(부사장)의 모습./삼성전자 제공

삼성전자가 26일(현지시각) 미국 실리콘밸리에서 인공지능(AI) 시대를 겨냥한 차세대 메모리 설루션을 공개했다.
삼성전자는 이날 미국 캘리포니아 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 ‘멤콘(MemCon) 2024′에서 ‘컴퓨트익스프레스링크’(CXL) 기술 기반 메모리와 고대역폭메모리(HBM)을 선보였다.
최진혁 삼성전자 미주 메모리연구소장(부사장)과 황상준 D램 개발실장(부사장)은 키노트 연설을 통해 CXL 기반 메모리와 고성능, 고용량의 HBM 설루션이 AI 반도체 업계를 주도하고 있다고 밝혔다.
최 부사장은 이날 키노트에서 CXL 기반의 설루션을 발표했다. 기존의 CMM(CXL Memory Module)-D(DRAM) 이외에도 낸드와 D램을 함께 사용하는 CMM-H, 메모리 풀링 설루션인 ‘CMM-B’ 등 CXL 기반 설루션을 공개했다.
CXL의 메모리 풀링은 여러 대의 서버에서 사용되는 메모리를 하나의 풀로 묶어 관리하는 기술로, 메모리 자원의 효율적인 관리가 가능하고 시스템의 안전성을 높일 수 있다.

최 부사장은 “파트너들과의 협력을 통해 AI 시대 반도체 기술 발전을 이끌겠다”고 했다.
황 부사장은 키노트에서 삼성전자의 D램과 HBM 설루션에 대해 설명했다. 그는 “현재 양산 중인 3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) HBM에 이어, 12단 5세대 HBM과 32기가비트(Gb) 기반 128기가바이트(GB) DDR5 제품을 올해 상반기에 양산할 예정”이라고 밝혔다.
삼성전자는 6세대 HBM의 경우 적층된 메모리의 가장 아래층에 컨트롤 장치인 버퍼 다이(Buffer Die)를 적용할 예정이다.
한편, 삼성전자는 이날 전시부스를 운영하며 키노트에서 밝힌 CMM-B와 CMM-D, CMM-H 등 제품과 함께 12단 5세대 HBM(HBM3E) 등을 공개했다.