삼성과 SK하이닉스는 HBM4 메모리를 위한 선택으로 1c DRAM 적용

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2024-02-21

[📣소식] 삼성과 SK하이닉스는 HBM4 메모리를 위한 선택으로 1c DRAM 적용앱에서 작성

아베 신조

2024.05.19 00:17:44

조회 738 추천 2 댓글 0

https://quasarzone.com/bbs/qn_hardware/views/1659624

TSMC, 삼성, SK 하이닉스가 최신 DRAM 및 프로세스 노드를 준비함에 따라 차세대 HBM4 메모리 표준 개발이 본격화되고 있습니다.

TSMC는 HBM4 메모리 베이스 다이용 12nm 및 5nm 노드 출시, 삼성 및 SK하이닉스는 1c DRAM 경로 채택

삼성과 SK하이닉스는 모두 차세대 HBM4 메모리 표준을 제공하기 위해 경쟁하고 있습니다. 한국의 거인들은 2025~2026년 데뷔에 대한 초기 계획을 공개했습니다. 삼성은 지금까지 VRAM 용량과 메모리 대역폭의 전례 없는 증가를 위해 3D 패키징 기술과 최대 16-Hi 스택의 사용을 주시해 왔으며 SK 하이닉스도 자체 HBM4 솔루션에 새로운 패키징 기술을 통합할 계획입니다.

ZDNet Korea가 인용한 최신 업계 소식통에 따르면 삼성과 SK하이닉스는 차세대 HBM4 메모리에 1c DRAM을 사용할 계획이라고 합니다. 삼성전자는 당초 지난해 5월 생산을 시작한 HBM4에 1b D램(10나노급 5세대 D램)을 적용할 계획이었던 것으로 알려졌습니다. 기존 HBM3E 제품은 1a D램을 기반으로 하고 있다. 최근 삼성전자가 호퍼(Hopper), 블랙웰(Blackwell) 등 엔비디아의 최신 AI GPU에 대한 인증 테스트를 통과하지 못했다는 보도가 나온 뒤 잃어버린 기세를 되찾겠다는 계획입니다.

1c DRAM 사용이 강조된 주요 이유는 삼성이 전력 소비 측면에서 경쟁사보다 뒤처진다고 보고 있기 때문입니다. 따라서 1c DRAM은 12-Hi 및 16-Hi HBM4 제품에 걸쳐 사용됩니다. 회사는 2024년 말까지 1c DRAM 첫 양산라인을 구축할 예정이며, 총 생산능력은 월 3000장 수준이 될 것으로 예상됩니다. 최종 HBM4 제품 수치도 크게 다르지 않아야 합니다. 일부 소식통은 삼성이 2025년 중반쯤 양산을 시작할 수도 있다고 강조하지만 아직 확정되지는 않았습니다.

SK하이닉스는 HBM4 메모리 제품에 1b DRAM을, 차세대 HBM4E 메모리에는 1c DRAM을 제조사에서 사용할 계획입니다.

그러나 그것이 전부는 아닙니다. TSMC 유럽 기술 심포지엄 2024에서 반도체 제조업체는 HBM4 메모리가 1024비트에서 2048비트 인터페이스로 이동하는 복잡성으로 인해 N12 및 N5 프로세스 노드를 사용하여 새로운 베이스 다이가 만들어질 것이라고 보고했습니다.

"우리는 HBM4 풀 스택 통합을 위해 첨단 노드를 통해 주요 HBM 메모리 파트너(마이크론, 삼성, SK하이닉스)와 협력하고 있습니다."라고 TSMC의 설계 및 기술 플랫폼 수석 디렉터는 말합니다. "비용 효율적인 N12FFC+ 베이스 다이는 성능을 위해 HBM에 도달할 수 있으며, N5 베이스 다이는 HBM4 속도에서 훨씬 더 낮은 전력으로 더 많은 로직을 제공할 수 있습니다."

TSMC 담당자는 "Cadence, Synopsys, Ansys와 같은 EDA 파트너와 협력하여 HBM4 채널 신호 무결성, IR/EM 및 열 정확도를 인증하고 있습니다."라고 설명했습니다.

아난드텍을 통한 TSMC

새로운 베이스 다이는 최근 공개된 CoWoS-L 및 CoWoS-R 패키지와 같은 CoWoS 기술을 활용하여 최대 16-Hi 스택의 메모리 제품을 만드는 데 사용됩니다. 또한 다른 주요 변경 사항 중에서 새로운 채널 신호 무결성 프로세스를 활용하게 됩니다. 5nm 노드를 사용하면 전력, 성능 및 밀도 측면에서 이점을 얻을 수 있으므로 내년에 차세대 GPU 가속기를 위한 차세대 HBM4 메모리 제품 출시를 기대합니다.

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