삼성전자, 1c D램 설계 변경…"원가 포기" - 반도체산업 마이너 갤러리

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2024-02-21

[📣소식] 삼성전자, 1c D램 설계 변경…"원가 포기"모바일에서 작성

반갤러(119.207) 2025.02.20 00:34:55

조회 2356 추천 6 댓글 8

삼성전자가 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4까지는 경쟁사에 밀릴 것이라는 관측이 제기되고 있다. 당초 회사에서 HBM4로 승부수를 띄우려고 했으나, 이에 적용되는 10나노급 6세대(1c) D램 수율이 저조하면서 설계 변경에 착수하는 등 난관을 겪고 있기 때문이다. 회사 내부적으로도 HBM4의 다음 세대인 7세대 HBM4E에 기대를 걸고 있는 모습이다.

10나노급 D램 공정 기술은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대)-1c(6세대) 순으로 개발되고 있다. 세대를 거듭할수록 선폭이 미세해져 성능과 전력 소비 효율이 높아진다. 삼성전자의 경우 경쟁사 대비 공정 기준이 까다로워, SK하이닉스와 마이크론의 1a가 삼성전자의 1b에 해당하는 수준이다.

업계에 따르면, 삼성전자는 1c D램 설계 변경에 착수한 것으로 전해졌다. 1세대 D램인 1x에서 시작된 문제가 1a로 넘어가면서 크게 악화됐고, 이 1a를 기반으로 개발된 1b와 1c 역시 성능을 제대로 발휘하지 못하는 상황에 처한 것이다.

따라서 공정 기술이 1c로 전환될수록 칩 사이즈가 줄어들고 생산량이 늘어나면서 원가 절감 효과를 기대할 수 있는데, 수율이 예상보다 낮아 칩 사이즈를 당초 계획보다 키우는 방향으로 가닥을 잡고 있다. 원가를 포기하는 대신 안정성과 완성도를 높이려는 것이다. 안정적인 수율을 위해 원가를 높이더라도 기존 선폭 회로도 키우면서 1c 성공에 올인하는 중이다. 원가 삼성전자는 최근 모바일 애플리케이션프로세서(AP) 엑시노스2500도 성능을 낮춰 개발하는 등 제품 전반적으로 수율을 높이고자 품질을 포기하는 그림을 그리고 있다.

https://dealsite.co.kr/articles/136886

삼성전자, 1c D램 설계 변경…"원가 포기" - 딜사이트

칩 사이즈, 커패시터 두께 조절 등 개선 작업 돌입

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