
어제 이야기한 대로 오늘 싸지르는 글은
크게는 클럭, 전압에 따른 램 타이밍 계산하는 방법이고
자세하게는 ns 단위와 T 단위, 그리고 기본 단위인 클럭 (Clock, clk) 을 활용한 계산방법임
추가적으로 젠4 라이젠 7000 번대 시스템에서 16GB 1R 하이닉스 A 다이 램을 사용한
대략적인 전체 램 타이밍 프리셋으로 쓸만한 타이밍들을 소개해보려고 함
전체 램 타이밍 값에 대해서는 이전에 6000 30-40-40-30 1.35 V 정보글을 통해서 대충 설명하고 넘어갔는데
https://gall.dcinside.com/mgallery/board/view/?id=desktopcomputer&no=296&search_head=10&page=1
이번 글에서는 UCLK mode 에 따른 1:1 (6000-6400), 1:2 (7200-7800) 두 가지 세팅에서
각각 안정화를 시작해볼만한 세부램타 값을 소개할 예정임
내가 실제로 안정화 봤었던 하이닉스 램이라고 해봐야
크게 팀그룹 흑금치, 에센코어 흑금치, 하이닉스 시금치, 팀그룹 7200 튜닝램 4가지인데
위 4가지 램으로 6400 CL28 안정화를 봤던 값을 이용해서
하이닉스 A 다이로 들어갈 수 있는 세부 램타 값을 대략적으로 잡아놓고 지금까지도 사용하고 있음
그러니 하이닉스 A 다이라면 거의 범용적으로 쓸만할거임 ㅇㅇ
그럼 본격적으로 시작해보자
우선 시작하기 앞서서 인텔 시스템 쓰는 게이들, 미안하다
인텔 시스템을 써본 적이 없어서
인텔쪽 전압 설정 (SA 전압 등)이나 세부 램타 (턴어라운드 타이밍 등) 는 내가 도와줄 수가 없다
대신에 이 글에서 소개하는 램 타이밍 계산방법은 아마 비슷한 방법으로 활용이 가능할거임
목차
1. 램 타이밍이 뭐야?
2. 다른 타이밍은 어떻게 계산할까?
3. 하이닉스 A 다이 램 타이밍 따라하기
* 나도 전문적으로 배운 지식이 아니기 때문에 틀린 내용이 있을 수 있으니
아니다 싶은 내용은 적당히 걸러들으면 됨
1. 램 타이밍이 뭐야?
어려울거 없음, 우리가 흔히 말하는 30-36-36-30, 28-38-38-30 이런 값이 램 타이밍임
그걸 누가 모르냐고? 모를 수도 있지
위에서 말한 28, 30, 36, 38 이런 값들은 더 정확하게 말하면 28T, 30T, 36T, 38T 임
예전 딸4 시절에 타이푼버너라고 램 속살까지 적나라하게 보여주는 프로그램을 써본 게이라면
아마 T 단위랑 ns 단위에 대해서 대충은 알고있을거임
램 타이밍을 표현하는 방법이 두 가지가 있는데
우리가 흔히 이야기하는 램 타이밍 값은 T 단위임
그럼 ns 단위는 뭐냐?
ns 단위의 램 타이밍은 뭐랄까, 메모리 수율과 더 직접적으로 관련이 있는 타이밍이라고 생각함
다시 말해서 내 램의 수율 한계를 넘어가지 않는 ns 단위 타이밍 값을 알고 있으면
다른 클럭, 다른 전압의 조건에서도 비슷한 값의 ns 단위 타이밍 값을 적용할 수 있다는 말임
물론 후술할 계산을 통해 수율 한계를 넘어가지 않는 값을 알고 있다 해도
일부 고클럭에서는 적용이 불가능한 경우도 있으니 참고하자

실제로 HWiNFO64 를 실행해서 메모리 정보를 보면
어떤 값은 ns 단위가 붙어있고, 어떤 값은 그냥 숫자만 표기가 되어있음
그냥 숫자만 표기된 값은 T 단위 타이밍이라고 생각하면 됨
이 단위들을 이해하려면 우선 JEDEC 규격에 대해 알아야 하는데
JEDEC 규격은 시금치 램, 레퍼런스가 되는 램을 만들 때 기준이 되는 스펙이라고 이해하면 편함

기본 스펙이 5600 인 램은 JEDEC 규격에 따라 46-45-45-90 의 램 타이밍을 따르고
대부분 판매되는 5600 시금치, 흑금치는 46-46-46-90 램 타이밍을 가지고 있음
그래서 램 정보를 보여주는 모니터링 툴에서 표기되는 "최소 ~ 타이밍 (ns)" 값이
보통 전부 auto 값으로 들어가는 순정 상태의 램 타이밍 값 (T) 으로 적용됨
이 때 ns 값과 T 값을 계산하기 위해서는 기본 단위 클럭을 알아야 함
그럼 기본 단위라고 말한 클럭 (clock, 이하 clk) 을 알아보자
우리가 램 오버할 때 말하는 5600, 6000, 6400, 8000 같은 클럭을 시스템 클럭이라고 치면
예전에 언급했던 memclk (MCLK) 값은 위 시스템 클럭의 절반 값임
5600 시금치 램을 예로 들어보자

5600 시금치 램의 memclk (MCLK) 는 절반 값인 2800 (MHz) 인데
위 짤의 제일 윗 줄에있는 "최소 SDRAM 주기 시간" 이 바로 기본 단위 클럭임
계산하는 방법은
기본 단위 클럭 (clk) = 1000 ns / MCLK
이고, 5600을 기준으로 계산해보면 1000 ns / 2800 = 0.35714... 가 나옴
위 짤의 "최소 SDRAM 주기 시간" 0.35700 ns 값이 나오지?
이 값이 바로 기본 단위가 되는 클럭 (clk) 값이고
이 clk 값을 이용해서 T 단위 타이밍과 ns 단위 타이밍을 계산하면
타이밍 (T) * 기본 단위 클럭 (clk) = 타이밍 (ns)
타이밍 (ns) / 기본 단위 클럭 (clk) = 타이밍 (T)
와 같이 타이밍을 각각 계산할 수 있음
타이밍 (T) 값은 무조건 정수 값임
위 5600 시금치의 정보에 있는 JEDEC 기준 최소 타이밍인 5600 46-45-45-90 을 기준으로
기본 단위 클럭 (clk) = 0.357 ns
tRCD 16 ns
tRP 16 ns
tRAS 32 ns
를 계산해보면
tRCD 16 ns / 0.357 ns = 44.817 T
tRP 16 ns / 0.357 ns = 44.817 T
tRAS 32 ns / 0.357 ns = 89.635 T
가 나오고, 램 타이밍 (T) 값은 정수 단위니까
tRCD 16 ns / 0.357 ns = 44.817 T > 45 T
tRP 16 ns / 0.357 ns = 44.817 T > 45 T
tRAS 32 ns / 0.357 ns = 89.635 T > 90 T
가 나와서, JEDEC 스펙인 46-45-45-90 값이 나오는거임 ㅇㅇ
이렇게 T 단위랑 ns 단위를 알아봤으니 본격적으로 응용해보자
2. 다른 타이밍은 어떻게 계산할까?
다른 타이밍도 앞선 계산 방법과 동일하게 계산이 가능하고
이 계산 방법을 응용하면 램오버로 안정화가 진행된 타이밍을 가지고
다른 램오버 목표 클럭과 전압을 계산할 수 있음 ㅇㅇ
우선 5600 하이닉스 시금치를 이용해서 6000 클럭, 1.35 V 램오버 값을 구해보자
다른 세부 램 타이밍까지 이야기하면 너무 길어지니까
tCL - tRCD - tRP - tRAS 값만 계산해보자
우리가 최종적으로 계산해야 하는 정보는
- 목표 타이밍 (T)
이미 알고 있는 정보는
- 목표 MCLK
- 목표 VDD 전압 (V)
- 현재 MCLK
- 현재 타이밍 (T)
- 현재 VDD 전압 (V)
이 때, 알고 있는 정보로 계산할 수 있는 값은
현재 타이밍 (ns) = 현재 타이밍 (T) * 현재 기본 클럭 (clk)
= 현재 타이밍 (T) * (1000 ns / 현재 MCLK)
목표 기본 클럭 (clk) = 1000 ns / 목표 MCLK
까지임, 최종 목표 타이밍 (T) 을 계산하기 위해서는
현재 타이밍 (ns) 을 이용해서 목표 타이밍 (ns) 을 계산해야하는데
이 계산 방법은 아래와 같음
목표 타이밍 (ns) * 목표 VDD 전압 (V) = 현재 타이밍 (ns) * 현재 VDD 전압 (V)
목표 타이밍 (ns) = 현재 타이밍 (ns) * 현재 VDD 전압 (V) / 목표 VDD 전압 (V)
ㅅㅂ 무슨소리인지 하나도 모르겠는데?
맞아, 나도 뭔소리인지 모름, 구글 시트에 계산식 넣어서 한 번에 계산하는게 더 편함
실제로 그렇게 사용하고 있고 ㅇㅇ
목표 타이밍 (ns) * 목표 VDD 전압 (V) = 현재 타이밍 (ns) * 현재 VDD 전압 (V)
이게 계산 방법의 제일 중요한 핵심이야
목표 전압을 잔뜩 퍼먹이면 램 타이밍이 더 조여지잖아?
반대로 전압이 부족하면 램 타이밍을 풀어줘야하고
이걸 수식화 해놓은거라고 생각하면 돼
그냥 실전으로 바로 계산해보자
우선 5600 하금치의 스펙은 46-46-46-90 인데
내 시스템에서는 순정 상태에서 5200 42-42-42-84 로 잡힘

이 값을 기준으로 계산을 해보자
램 타이밍 중 tCL - tRCD - tRP 값이 동일하게 42 T 니까 tCL 과 tRAS 만 계산해보자
현재 MCLK = 2600
현재 VDD 전압 = 1.1 V
현재 tCL = 42 T
현재 tRAS = 84 T
이제 계산을 해보자
5200 에서의 기본 단위 클럭 (clk) = 1000 ns / 2600 = 0.385 ns
현재 tCL (ns) = 42 T * 0.385 ns = 16.154 ns
현재 tRAS (ns) = 84 T * 0.385 ns = 32.308 ns
현재 VDD 전압은 1.1 V 이고, 우리는 6000 클럭에 1.35 V 가 목표야
목표 MCLK = 3000
목표 VDD 전압 = 1.35 V
6000 에서의 기본 단위 클럭 (clk) = 1000 ns / 3000 = 0.333 ns
이제 위 정보들을 종합해서
목표 타이밍 (ns) * 목표 VDD 전압 (V) = 현재 타이밍 (ns) * 현재 VDD 전압 (V)
이 식에 대입해보면
먼저 tCL
목표 타이밍 (ns) * 1.35 V = 16.154 ns * 1.1 V
목표 타이밍 (ns) = 16.154 ns * 1.1 V / 1.35 V
= 13.163 ns
목표 타이밍 (T) = 목표 타이밍 (ns) / (6000 에서의 기본 클럭)
= 13.163 ns / 0.333 ns
= 39.488 T > 40 T
그 다음 tRAS
목표 타이밍 (ns) * 1.35 V = 32.308 ns * 1.1 V
목표 타이밍 (ns) = 32.308 ns * 1.1 V / 1.35 V
= 35.539 ns
목표 타이밍 (T) = 목표 타이밍 (ns) / (6000 에서의 기본 클럭)
= 35.539 ns / 0.333 ns
= 106.616 T > 107 T
우리가 최초로 출발한 5200 42-42-42-84 1.1 V 값을 기준으로 계산했을 때
최종적으로 6000 40-40-40-107 1.35 V 라는 값을 얻어낼 수 있게 된거야
램 오버한 클럭과 전압에 비해 타이밍이 굉장히 많이 풀어져있지?
그럼 아주 간단하게 실제 램오버 되는 값으로 tCL 만 계산해보자
6000 CL30 1.35 V 로 안정화를 마친 램이 있다고 하자
이 램을 6400 클럭, 1.43 V 을 목표로 tCL 을 계산할게
6000 에서의 기본 단위 클럭 (clk) = 1000 ns / 3000 = 0.333 ns
현재 tCL (ns) = 30 T * 0.333 ns = 9.999 ns
목표 타이밍 (ns) * 1.43 V = 9.999 ns * 1.35 V
목표 타이밍 (ns) = 9.999 ns * 1.35 V / 1.43 V
= 9.441 ns
목표 타이밍 (T) = 목표 타이밍 (ns) / (6400 에서의 기본 클럭)
= 9.441 ns / 0.3125 ns
= 30.211 T > 30-32 T
계산 결과, 6000 CL30 1.35 V 로 안정화 본 램을 6400, 1.43 V 로 계산하면 CL30 또는 CL32 값을 적용해볼 수 있음
지금까지의 계산을 통해서 계산된 T 단위 타이밍값은 올림 처리 한 것을 확인할 수 있는데
만약 소숫점이 30.211 같이 아주 적을 땐 30 T 로 안정화를 시도해볼 수 있음
램 수율이 좋으면 CL30 이 안정화 될거고, 램 수율이 모자르면 CL32로 풀어주거나 전압을 더 주거나 하면 됨
그래서 보통은 하이닉스 a 다이 기반의 튜닝램을 가지고 계산을 시작하면
그나마 우리가 통상적으로 이야기하는 전압과 타이밍을 계산할 수 있으니 참고하자
그리고 또 한 가지 팁
한 자릿수 램 타이밍을 제외한 나머지 타이밍은 짝수 값을 사용하자
가끔 다른 동네들 램오버 빡세게 조이는 아재들 보면
tRCD 이런 값이 막 37, 45 이렇게 홀수로 설정하는데
램 수율을 극한까지 국물 한 방울 남기지 않고 쥐어짜겠다 하는 세팅들이야
우리같은 일반 사용자들은 그냥 적당하게 짝수 값을 사용하자
홀수 값 안정화 보다가 멘탈 터뜨리지 말고
그래서 이번 결론은 목표 타이밍 (ns) * 목표 VDD 전압 (V) = 현재 타이밍 (ns) * 현재 VDD 전압 (V)
이 계산식을 이용하면 현재 클럭과 전압 값으로 손 쉽게 목표 타이밍을 계산할 수 있다
즉, 처음 안정화를 시도할 만한 값을 찾는 수고를 조금이나마 덜 수 있다가 되시겠다
우리가 흔히 말하는 고수율 램을 판별하는 방법은
- 같은 양의 전압에서 더 적은 램 타이밍 (ns) 이 가능한 램
- 같은 램 타이밍 (ns) 에서 더 적은 전압이 들어가는 램
인 경우니 참고하자
3. 하이닉스 A 다이 램 타이밍 따라하기
아니 그래서 저 많은 램 타이밍들을 언제 하나하나 다 계산하고 앉아있음?
그래서 준비한 내용, 하이닉스 A 다이 램 타이밍 무작정 따라하기
위에서 소개한 방법대로 클럭, 전압, 램 타이밍을 계산했고

VDD/VDDQ 전압은 램 수율에 따라서 다르게 들어갈 수 있다는 점 참고하자
램 타이밍은 크게 1차 타이밍, 나머지 타이밍으로 구분할거고
1차 타이밍은 tCL, tRCD, tRP, tRAS 만 해당됨
아래 모든 램 타이밍은 GDM, PDM, MCR Disable 세팅 기준이고
하이닉스 A 다이 5600 16GB 단면 램 기준이다
그 외의 다른 램은 일부 세부 타이밍 값이 다르니 무작정 따라하지 말자
그리고 UCLK = MEMCLK (1:1), UCLK = MEMCLK/2 (1:2) 에 따른 구분도 해놓을테니 참고하자
고수율 램과 고수율 멤컨 장비를 필요로 하는 1:1 6600 과 1:2 8000 세팅은 제외했음


1) 1차 램 타이밍

위에서 이야기 한 tCL, tRCD, tRP, tRAS 값임
tRAS는 정석대로 계산하면 tRCD + tRTP = tRAS 임
하이닉스 A 다이는 특이하게 정석으로 계산한 값이랑 다르게 많이 조여지는 타이밍들이 있음
또 하나, tCWL = tCL - 2 인데 이건 자동으로 적용됨
만약 이 값이 수동으로 적용 가능한데 다르게 적용되는 보드는 tCL - 2 값을 적용해주자
아래 값은 전압에 따른 1차 타이밍 시도해볼만한 값들임
VDD/VDDQ 전압 1.4 V 이상 세팅은 램 방열판 + 램 스팟쿨링 환경을 권장함
1.56 V 이상의 높은 전압은 시도 해볼만 하나 추천하지는 않음
(램 방열판 + 스팟쿨링 환경에서도 램 온도가 48도 이상 올라감)
VDD/VDDQ 전압은 램 수율에 따라서 다르게 들어갈 수 있다는 점 참고하자
VDD 1.35 - 1.4 V
1:1 6000-6200 30-40-40-30
1:1 6000-6200 30-36-36-30
1:1 6400 32-38-38-32
VDD 1.43 - 1.435 V
1:1 6000 28-36-36-30
1:1 6200 30-36-36-30
1:1 6400 30-38-38-30
1:2 7200 34-44-44-36
1:2 7200 34-42-42-36
1:2 7600 36-46-46-38
1:2 7800 38-48-48-40
VDD 1.44 - 1.48 V (전압 언락)
1:1 6200 28-36-36-30
1:2 7600 34-46-46-36
1:2 7800 36-48-48-38
VDD 1.5 - 1.54 V (전압 언락)
1:1 6000 26-36-36-28 (일부 보드는 tRAS 최솟값이 30임)
1:1 6200 28-36-36-30
1:1 6400 28-38-38-30
1:2 7200 32-44-44-34
1:2 7600 34-46-46-36
1:2 7800 34-46-46-36
2) 세부 램 타이밍

tRC
정석대로 계산하면 tRC = tRCD + tRAS 임
하이닉스 A 다이 램들이 이상하게 이 값이 많이 조여지고
어중간한 값이 들어가면 오히려 에러가 나오는 경우도 있는 이상한 타이밍임
아예 타이트하게 조이거나 정석대로 조여주자
1:1 6000-6400
램 수율에 따라 38 정도 조여짐
조여지지 않을 경우 tRCD + tRAS 또는 tRCD + tRAS + 2 값으로 안정화 시도하자
1:2 7200+
램 수율에 따라 44 정도 조여짐
조여지지 않을 경우 tRCD + tRAS 또는 tRCD + tRAS + 2 값으로 안정화 시도하자
tWR
메인보드 제조사마다 다르겠지만 최솟값이 48 이다
48 로 안정화를 시도하고, 수율 한계에 걸려서 에러가 날 경우 54 를 시도하자
특이하게 48 다음으로 입력되는 값이 54 이다
tREFI
램 오버 안정화 시 제일 마지막에 안정화 보는 것을 권장함
온도에 민감한 램 타이밍이고, 특이하게 이 타이밍은 다른 타이밍들과는 달리 값이 클 수록 좋다
65535 가 최댓값이고, 램 안정화 툴로 1시간 - 3시간 안정화를 권장하며
램 온도가 높게 올라가는 TM5 또는 HCI MEMTESTPRO 사용을 권장함
tRFC, tRFC2, tRFCsb
이 램 타이밍 역시 온도에 민감한 타이밍이다
5600 램 기준 순정 타이밍이 각각 295 ns, 160 ns, 130 ns 이다
다른 동네 아재들이 매우 타이트하게 조일 경우 12x ns 로 조이지만
나는 보통 130 ns 를 선호하는데, 대부분은 130 ns, 130 ns, 100 ns 타이밍으로 조임
안정화는 tRFC, tRFC2 를 같이 보고 tRFCsb 를 따로 봄
시도 해볼만한 타이밍은
130 ns - 130 ns - 100 ns
130 ns - 130 ns - 120 ns
150 ns - 150 ns - 120 ns
160 ns - 160 ns - 130 ns (이 값이 제일 만만함)
그 외 24GB 램 같은 특수한 경우에는
170 ns - 170 ns - 130 ns 이상으로 안정화 시도하자
계산 방법은 (ns 단위 타이밍) * (MCLK/1000 ns) = (T 단위 타이밍) 이고
만약 6000 램오버일 경우 130 ns * (3000/1000 ns) = 390 T 가 된다

tRTP
가장 만만한 타이밍은 20이고, 찔러볼만한 타이밍은 16이다
보통은 16에서 스타트 하는걸 추천하고
램 수율에 따라서 +- 2 씩 조절하면서 안정화를 시도하자
tRRDL, tRRDS
1:1 6000-6400
제일 만만한 값은 8, 4 이다
램 수율에 따라서 8, 6이 들어가기도 하고 더 조여지기도 하니 하나씩 안정화 보는걸 추천한다
1:2 7200+
제일 만만한 값은 8, 6 이다
램 수율에 따라서 10, 6이 들어가기도 하니 하나씩 안정화 보는걸 추천한다
tFAW
가장 만만한 타이밍은 20이고, 찔러볼만한 타이밍은 16이다
보통은 16에서 스타트 하는걸 추천하고
램 수율에 따라서 +- 2 씩 조절하면서 안정화를 시도하자
tWTRL, tWTRS
제일 만만한 값은 16, 4 이다
램 수율에 따라서 16, 6이 들어가기도 하니 하나씩 안정화 보는걸 추천한다

tRDRDSCL
tRDRDSC
tRDRDSD
tRDRDDD
tWRWRSCL
tWRWRSC
tWRWRSD
tWRWRDD
몇 안되는 홀수값을 적용하는 타이밍들이다
에러 검출도 빠른 편이다
램 수율에 따라 다르며 +- 1 씩 조절하면서 안정화를 보는데
가능하다면 타이밍들을 하나씩 안정화 보는 것을 추천한다
그 이유는 팀그룹 7200 튜닝램으로 안정화 볼 때 tRDRDDD, tWRWRDD 값이 전혀 조여지지 않았다
일부 램에서는 값이 조여지지 않는 모양이다
1:1 6000-6400
6-1-1-1-6-1-1-1 값을 시도해볼만 하다
램 수율에 따라 다르며 +- 1 씩 조절하면서 안정화를 시도하자
1:2 7200+
8-1-1-1-8-1-1-1 값을 시도해볼만 하다
램 수율에 따라 다르며 +- 1 씩 조절하면서 안정화를 시도하자
tWRRD
몇 안되는 홀수값을 적용하는 타이밍이다
팀그룹 7200 튜닝램 안정화 할때 전혀 조여지지 않았던 타이밍 중 하나이다
1:1 6000-6400
1 값을 시도해볼만 하다
램 수율에 따라 다르며 에러 검출 시 + 1 씩 조절하면서 안정화를 시도하자
1:2 7200+
4 값을 시도해볼만 하다
램 수율에 따라 다르며 에러 검출 시 + 1 씩 조절하면서 안정화를 시도하자
tRDWR
16 값을 시도해볼만 하다
램 수율에 따라 다르며 +- 2 씩 조절하면서 안정화를 시도하자
지금까지 램오버 할 때 대충 안정화를 시도해볼만한 값들을 알아봤다
자주 하다보면 그냥 순서를 줄줄 외우고 있는 자신을 발견할 수도 있다
그럼 모두들 신나는 램오버를 즐겨보자

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